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APTM100A23STG 的相关信息

信息仅供参考，实际以PDF为准

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  • 标准包装：1
  • 类别：半导体模块
  • 家庭：FET
  • 系列：-
  • FET 型：2 N 沟道（半桥）
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：36A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫欧 @ 18A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：308nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：8700pF @ 25V
  • 功率 - 最大：694W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SP4
  • 供应商设备封装：SP4
  • 包装：散装
  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
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