APTC60HM70BT3G 的相关信息
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- 现有数量:0现货查看交期
- 价格:8 : ¥926.48125托盘
- 系列:CoolMOS?
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:4 N 沟道(半桥)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):600V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):70 毫欧 @ 39A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):259nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):700pF @ 25V
- 功率 - 最大值:250W
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SP3
- 供应商器件封装:SP3
- 公司
- 型号
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- 封装/批号
- 数量
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- 说明
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标准封装
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