APTC60HM45T1G 的相关信息
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- 标准包装:1
- 类别:半导体模块
- 家庭:FET
- 系列:-
- FET 型:4 N 通道(半桥)
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:49A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:45 毫欧 @ 24.5A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3.9V @ 3mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:150nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:7200pF @ 25V
- 功率 - 最大:250W
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SP1
- 供应商设备封装:SP1
- 包装:散装
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
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