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APTC60HM45T1G 的相关信息

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  • 标准包装:1
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:-
  • FET 型:4 N 通道(半桥)
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:49A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:45 毫欧 @ 24.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3.9V @ 3mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:150nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:7200pF @ 25V
  • 功率 - 最大:250W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP1
  • 供应商设备封装:SP1
  • 包装:散装
  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
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