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  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：13 毫欧 @ 12A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：36 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2600 pF @ 15 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：8-SOIC
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