2N7002LT1G 的相关信息
信息仅供参考,实际以PDF为准
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:-
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:115mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:50pF @ 25V
- 功率 - 最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:2N7002LT1GOSTR
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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2N7002LT1G
原装现货 -
ON
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2N7002LT1G
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ON/安森美
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SOT-23
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ON/安森美
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上海市
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SOT-23
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经营22年实体店原装,具体年份和数量以实际为准
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上海市
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全新原装现货
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SOT23
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苏州
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3000
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上海市
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