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SI7328DN-T1-GE3 的相关信息
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- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：35A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.6 毫欧 @ 18.9A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：31.5nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2610pF @ 15V
- 功率 - 最大：52W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI7328DN-T1-GE3TR
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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VISHAY
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2021+ -
28000
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苏州
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