MMBT589LT1G 的相关信息
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- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大):100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 500mA,2V
- 功率 - 最大:310mW
- 频率 - 转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:MMBT589LT1G-NDMMBT589LT1GOSTR
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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MMBT589LT1G
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