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MMBFJ177LT1G 的相关信息

信息仅供参考，实际以PDF为准

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：JFET（结点场效应
  • 系列：-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：1.5mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss)：-
  • 漏极电流 (Id) - 最大：-
  • FET 型：P 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30V
  • 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：800mV @ 10nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：11pF @ 10V（VGS）
  • 电阻 - RDS（开）：300 欧姆
  • 安装类型：表面贴装
  • 包装：带卷 (TR)
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 功率 - 最大：225mW
  • 其它名称：MMBFJ177LT1GOSMMBFJ177LT1GOS-NDMMBFJ177LT1GOSTR
MMBFJ177LT1G (PDF下载)
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