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- 制造商:ON Semiconductor
- 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
- 晶体管极性:NPN
- 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
- 最大直流电集电极电流:4 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min:40
- 配置:Single
- 最大工作频率:40 MHz
- 最大工作温度:+ 150 C
- 安装风格:Through Hole
- 封装 / 箱体:TO-225-3
- 封装:Bulk
- 集电极连续电流:4 A
- 最小工作温度:- 65 C
- 功率耗散:15 W
- 工厂包装数量:500
- 公司
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