IRFR5410 的相关信息
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- 标准包装:75
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单路
- 系列:HEXFET®
- FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点:Standard
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:205 毫欧 @ 7.8A, 10V
- 漏极至源极电压(Vdss):100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:13A
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:58nC @ 10V
- 在 Vds 时的输入电容(Ciss):760pF @ 25V
- 功率 - 最大:66W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
- 其它名称:*IRFR5410
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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IR
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IR
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上海市
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经营22年实体店原装,具体年份和数量以实际为准
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MOSFET
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Infineon
连可连代销V -
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苏州
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IR
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15000
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上海市
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