IRFR1205TRPBF 的相关信息
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- 标准包装:2,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:HEXFET®
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):55V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:44A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:27 毫欧 @ 26A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:65nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:1300pF @ 25V
- 功率 - 最大:107W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:IRFR1205PBFTRIRFR1205TRPBF-NDIRFR1205TRPBFTR-ND
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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INFINEON
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23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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Infineon
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
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0 -
6000
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杭州
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原装正品现货
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INFINEON
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TO-252
2052 -
10000
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杭州
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IR
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TO-252
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上海市
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上海市
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上海市
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SOP
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6000
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上海市
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