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  • 标准包装：95
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 毫欧 @ 6.5A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1310pF @ 15V
  • 功率 - 最大：1.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：Micro8?
  • 供应商设备封装：Micro8?
  • 包装：管件
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