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- 典型关断延迟时间:52 ns
- 典型接通延迟时间:8.6 ns
- 典型栅极电荷@Vgs:52 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds:1800 pF V @ 25
- 安装类型:表面贴装
- 宽度:4mm
- 封装类型:SO-8
- 尺寸:5 x 4 x 1.5mm
- 引脚数目:8
- 最低工作温度:-55 °C
- 最大功率耗散:2.5 W
- 最大栅源电压:±20 V
- 最大漏源电压:30 V
- 最大漏源电阻值:0.018
- 最大连续漏极电流:13 A
- 最高工作温度:+150 °C
- 每片芯片元件数目:1
- 类别:功率 MOSFET
- 通道模式:增强
- 通道类型:N
- 公司
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- 封装/批号
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