IPW65R110CFD 的相关信息
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- 数据列表:IPx65R110CFD
- 标准包装:240
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:CoolMOS™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):650V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:31.2A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:110 毫欧 @ 12.7A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 1.3mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:118nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:3240pF @ 100V
- 功率 - 最大:277.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商设备封装:PG-TO247-3
- 包装:管件
- 其它名称:IPW65R110CFDFKSA1SP000895232
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
- 询价
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IPW65R110CFD
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