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2N4401 的相关信息

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  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
  • 配置:Single
  • 最大工作频率:250 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-92-3
  • 封装:Box
  • 集电极连续电流:0.6 A
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:625 mW
  • 工厂包装数量:2500
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