SCH2601-TL-E
MOSFET 晶体管更新日期:2024-04-01 00:04:00
SCH2601-TL-E
MOSFET 晶体管SCH2601-TL-E 供应商
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SANYO/ELNAF
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SCH6
1930+ -
1955
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上海市
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SCH2601-TL-E 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间:10 ns
- 典型接通延迟时间:10(P 通道)ns,8(N 通道)ns
- 典型栅极电荷@Vgs:0.83 nC @ -4 V(P 沟道),1 nC @ 4 V(P 沟道)
- 典型输入电容值@Vds:30 pF @ 10 V(N 沟道),40 pF @ -10 V(P 沟道)
- 安装类型:表面贴装
- 宽度:1.5mm
- 封装类型:SCH-6
- 尺寸:1.6 x 1.5 x 0.56mm
- 引脚数目:6
- 最大功率耗散:0.65 W
- 最大栅源电压:10(N 通道)V,-10(P 通道)V
- 最大漏源电压:30(N 通道)V,-30(P 通道)V
- 最大漏源电阻值:2.4(N 通道)Ω,8(P 通道)Ω
- 最大连续漏极电流:-0.4(P 通道)A,0.7(N 通道)A
- 最高工作温度:+150 °C
- 每片芯片元件数目:2
- 类别:通用
- 通道模式:增强
- 通道类型:N,P
- 配置:双
- 长度:1.6mm
- 高度:0.56mm
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