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S4D30120D
二极管阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
S4D30120D
二极管阵列产品简介：DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
S4D30120D 中文资料属性参数
- 现有数量：300现货
- 价格：1 : ￥77.51000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- 二极管配置：1 对共阴极
- 技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：15A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 15 A
- 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：200 μA @ 1200 V
- 工作温度 - 结：-55°C ~ 175°C
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商器件封装：TO-247AD