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S25FL512SAGBHID10

SPANSION 内存
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Flash 512-MBIT CMOS 3V 65NM FL MEM w/ 13
  • 参考价格：￥56.44-￥61.13

更新日期：2024-04-01

S25FL512SAGBHID10

SPANSION 内存

产品简介：闪存 512-MBIT CMOS 3V 65NM FL MEM w/ 13

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Flash 512-MBIT CMOS 3V 65NM FL MEM w/ 13
  • 参考价格：￥56.44-￥61.13

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S25FL512SAGBHID10 中文资料属性参数

  • 制造商：Spansion Inc.
  • 存储类型：Flash
  • 存储容量：512 MB
  • 结构：Uniform
  • 定时类型：Asynchronous
  • 接口类型：SPI
  • Supply Voltage - Max：3.6 V
  • Supply Voltage - Min：2.7 V
  • 工作温度：- 40 C to + 85 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：BGA-24
  • 封装：Tray

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