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RR1VWM6STR
单二极管更新日期：2024-04-01 00:04:00
RR1VWM6STR
单二极管产品简介：DIODE GEN PURP 600V 1A PMDE
RR1VWM6STR 中文资料属性参数
- 现有数量：11,965现货
- 价格：1 : ￥3.02000剪切带（CT）3,000 : ￥0.86468卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- 技术：标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
- 电流 - 平均整流 (Io)：1A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.2 V @ 1 A
- 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：10 μA @ 600 V
- 不同?Vr、F 时电容：-
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：2-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：PMDE
- 工作温度 - 结：175°C（最大）