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RGF1KHE3_B/I
单二极管更新日期：2024-04-01 00:04:00
RGF1KHE3_B/I
单二极管产品简介：DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA
RGF1KHE3_B/I 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：在售
- 系列：Automotive, AEC-Q101, Superectifier?
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：800 V
- 电流 - 平均整流 (Io)：1A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.3 V @ 1 A
- 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：500 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 μA @ 800 V
- 不同?Vr、F 时电容：8.5pF @ 4V，1MHz
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：DO-214BA
- 供应商器件封装：DO-214BA（GF1）
- 工作温度 - 结：-65°C ~ 175°C