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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：Phototransistors 6mA PHOTO TRANS
QSD124_Q 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 最大功率耗散：100 mW
- 最大暗电流：100 nA
- 封装 / 箱体：T-1 3/4
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
- 下降时间：7 us
- 最大工作温度：+ 100 C
- 最小工作温度：- 40 C
- 封装：Bulk
- 上升时间：7 us
- 类型：IR Chip
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