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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：Phototransistors Phototransistor
QSB320_Q 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 产品种类：Phototransistors
- 最大功率耗散：165 mW
- 最大暗电流：200 nA
- 封装 / 箱体：PLCC-2
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
- 下降时间：8 us
- 最大工作温度：+ 100 C
- 最小工作温度：- 55 C
- 封装：Bulk
- 上升时间：8 us
- 类型：IR Chip
- 波长：880 nm
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