搜索
发布采购
PUMD4
双极性晶体管(BJT) - 阵列- 参考价格：CNY 0.403-CNY 1.28
更新日期：2024-04-01 00:04:00
PUMD4
双极性晶体管(BJT) - 阵列- 参考价格：CNY 0.403-CNY 1.28
PUMD4 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
NXP/ELNAF
-
SOT363
1924+ -
3000
-
上海市
-
-
-
原装现货,精专配套,正品BOM表报价
-
Nexperia
-
SOT363
21+ -
24000
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
NXP
-
晶体管
21+ -
10000
-
上海市
-
-
-
原装现货，品质为先，请来电垂询！
-
NXP/恩智浦
-
SOT-363
2024 -
91752
-
上海市
-
-
-
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
-
NXP/恩智浦
-
SOT363
21+ -
10000
-
杭州
-
-
-
只做原装现货，大量现货热卖
PUMD4 中文资料属性参数
- 晶体管极性:：npn型/ PNP输出
- 电压, Vceo:：50V
- 功耗, Pd:：200mW
- 集电极直流电流:：100mA
- 直流电流增益 hFE:：200
- 工作温度范围:：-65°C 到 +150°C
- 封装类型:：SOT-363
- 针脚数:：6
- SVHC(高度关注物质):：No SVHC (18-Jun-2012)
- 功耗:：200mW
- 封装类型:：SOT-363
- 总功率, Ptot:：300mW
- 晶体管数:：2
- 晶体管类型:：偏压电阻（BRT）
- 最大连续电流, Ic:：100A
- 模块配置:：双
- 满功率温度:：25°C
- 电压, Vcbo:：50V
- 电流, Ic hFE:：1mA
- 电流, Ic 最大:：100A
- 电阻, R1:：10kohm
- 直流电流增益 hfe, 最小值:：200
- 表面安装器件:：表面安装
- 饱和电压, Vce sat 最大:：150mV
PUMD4 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 PUMD48,115
|
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP |
16页,964K | 查看 |