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更新日期:2024-04-01 00:04:00

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PUMB9 中文资料属性参数

  • 晶体管极性::进步党
  • 电压, Vceo::50V
  • 过渡频率, ft::180MHz
  • 功耗, Pd::200mW
  • 集电极直流电流::-100mA
  • 直流电流增益 hFE::100
  • 工作温度范围::-65°C 到 +150°C
  • 封装类型::SOT-363
  • 针脚数::6
  • SVHC(高度关注物质)::No SVHC (18-Jun-2012)
  • 封装类型::SOT-363
  • 总功率, Ptot::300mW
  • 晶体管数::2
  • 晶体管类型::偏压电阻(BRT)
  • 最大连续电流, Ic::100A
  • 模块配置::
  • 满功率温度::25°C
  • 电压, Vcbo::-50V
  • 电流, Ic hFE::5mA
  • 电流, Ic 最大::100A
  • 电阻, R1::10kohm
  • 电阻, R2::47kohm
  • 直流电流增益 hfe, 最小值::100
  • 表面安装器件::表面安装

PUMB9 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
PUMB9

PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kW, R2 = 47 kW

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