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PTFA091201HLV1
晶体管射频更新日期：2024-04-01 00:04:00
PTFA091201HLV1
晶体管射频产品简介：射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC
PTFA091201HLV1 中文资料属性参数
- 制造商：Infineon
- 产品种类：射频MOSFET电源晶体管
- 配置：Single
- 晶体管极性：N-Channel
- 频率：920 MHz to 960 MHz
- 增益：18.5 dB
- 输出功率：120 W
- 汲极/源极击穿电压：65 V
- 漏极连续电流：750 mA
- 闸/源击穿电压：12 V
- 最大工作温度：+ 150 C
- 封装 / 箱体：PG-64248-2
- 封装：Tray
- 安装风格：SMD/SMT
- 功率耗散：625 W
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