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PTF180301EV1

MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Transistors RF MOSFET Power RFP-LDMOS GLDMOS3&7

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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PTF180301EV1

MOSFET

产品简介：MOSFET RFP-LDMOS GLDMOS3&7

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Transistors RF MOSFET Power RFP-LDMOS GLDMOS3&7

PTF180301EV1 中文资料属性参数

  • 制造商：Infineon
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：65 V
  • 闸/源击穿电压：- 0.5 V to + 12 V
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.27 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 200 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：30265
  • 封装：Tray
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 功率耗散：145 W

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