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更新日期:2024-04-01 00:04:00

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产品简介:Transistors Bipolar (BJT) PNP Gen Pur SW

  • 参考价格:¥1.38-¥2.14

PN4356 中文资料属性参数

  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:50 at 10 mA at 10 V
  • 配置:Single
  • 最大工作频率:100 MHz
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-92
  • 封装:Box
  • 集电极连续电流:0.45 A
  • 功率耗散:625 mW
  • 工厂包装数量:2500

PN4356 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
PN4356

PNP General Purpose Amplifier

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PN4356

Small Signal Transistors

1 Pages页,26K 查看

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