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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
PN3638 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Fairchild
-
TO-92
21+ -
17374
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
PN3638 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
- 晶体管极性：PNP
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：25 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：4.9 V
- 最大直流电集电极电流：0.8 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：30
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：TO-92
- 封装：Bulk
- 集电极连续电流：0.8 A
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：625 mW
- 工厂包装数量：2000
PN3638 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 PN3638
|
PNP General Purpose Amplifier |
2 Pages页,192K | 查看 |
|
PN3638
|
PNP SILICON TRANSISTORS |
2 Pages页,192K | 查看 |
|
PN3638
|
PNP Small Signal General Purpose Amplifiers & Switches |
8 Pages页,192K | 查看 |
|
PN3638A
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PNP General Purpose Amplifier |
2 Pages页,192K | 查看 |
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PN3638A
|
PNP SILICON TRANSISTORS |
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PN3638A
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PNP Small Signal General Purpose Amplifiers & Switches |
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PN3638A
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Small Signal Transistors |
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