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PEMD4
数字晶体管- 参考价格：RMB0.50-RMB0.56
更新日期：2024-04-01 00:04:00
PEMD4
数字晶体管- 参考价格：RMB0.50-RMB0.56
PEMD4 供应商
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NXP Semiconductors
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SOT666
21+ -
194
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上海市
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一级代理原装
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NXP
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数字晶体管
21+ -
20000
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上海市
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原装现货!品质为先！请来电垂询！
PEMD4 中文资料属性参数
- 典型输入电阻器：10 k
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：1.3mm
- 封装类型：SSMini
- 尺寸：1.7 x 1.3 x 0.6mm
- 引脚数目：6
- 晶体管类型：NPN，PNP
- 最低工作温度：-65 °C
- 最大发射极-基极电压：5 V
- 最大连续集电极电流：100 mA
- 最大集电极-发射极电压：50 V
- 最大集电极-发射极饱和电压：0.15 V
- 最小直流电流增益：200
- 最高工作温度：+150 °C
- 配置：双
- 长度：1.7mm
- 高度：0.6mm
PEMD4 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 PEMD48
|
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1, R2 = 47 kohm, 47 kohm and 2.2 kohm, 47 kohm |
12 Pages页,69K | 查看 |
|
PEMD48,115
|
TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Transistor Polarity:NPN / PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:80; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-666; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:150mV; Current Ic Continuous a Max:10mA; Hfe Min:80; Package / Case:SOT-666; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose |
12页,86K | 查看 |
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- 1SS181
- 1SS400
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