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更新日期:2024-04-01 00:04:00

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PEMB9 供应商

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PEMB9 中文资料属性参数

  • 晶体管极性::进步党
  • 电压, Vceo::-50V
  • 过渡频率, ft::180MHz
  • 功耗, Pd::300mW
  • 集电极直流电流::-100mA
  • 直流电流增益 hFE::100
  • 工作温度范围::-65°C 到 +150°C
  • 封装类型::SOT-666
  • 针脚数::6
  • SVHC(高度关注物质)::No SVHC (18-Jun-2012)
  • 模块配置::双

PEMB9 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
PEMB9,115

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666

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