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PDTC114TT,215

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

PDTC114TT,215

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

产品简介：TRANS NPN 50V 100MA SOT23

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

PDTC114TT,215 供应商

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PDTC114TT,215 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：200 @ 1mA，5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：1µA
  • 频率 - 转换：-
  • 功率 - 最大：250mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：TO-236AB
  • 包装：带卷 (TR)

PDTC114TT,215 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
PDTC114TT,215

TRANS NPN 50V 0.1A SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:150mV; Current Ic Continuous a Max:10mA; Hfe Min:200; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:250mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose

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PDTC114TT,215

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)

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