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PDTA123JE,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 封装：SC-75，SOT-416
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.02124

更新日期：2024-04-01 00:04:00

PDTA123JE,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

产品简介：TRANS PNP 50V 100MA SOT416

  • 封装：SC-75，SOT-416
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.02124

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PDTA123JE,115 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 10mA，5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：100mV @ 250µA，5mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：1µA
  • 频率 - 转换：-
  • 功率 - 最大：150mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-75，SOT-416
  • 供应商设备封装：SC-75
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：934051580115PDTA123JE T/RPDTA123JE T/R-ND

PDTA123JE,115 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
PDTA123JE,115

TRANS PNP 50V 0.1A SOT416; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-416; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:-100mV; Current Ic Continuous a Max:-5mA; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-416; Power Dissipation Pd:150mW; Resistance R1:2.2kohm; Resistance R2:47kohm; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose

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