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PDTA115ET

数字晶体管
  • 参考价格：RMB0.19-RMB0.20

更新日期：2024-04-01

PDTA115ET

数字晶体管
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PDTA115ET 中文资料属性参数

  • 典型电阻比：1
  • 典型输入电阻器：100 k
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：1.4mm
  • 封装类型：TO-236AB
  • 尺寸：3 x 1.4 x 1mm
  • 引脚数目：3
  • 晶体管类型：PNP
  • 最低工作温度：-65 °C
  • 最大发射极-基极电压：-10 V
  • 最大连续集电极电流：20 mA
  • 最大集电极-发射极电压：50 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压：0.15 V
  • 最小直流电流增益：80
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 配置：单
  • 长度：3mm
  • 高度：1mm

PDTA115ET 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
PDTA115ET,215

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)

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