PBSS9110X
双极晶体管- 参考价格:RMB1.25-RMB1.43
更新日期:2024-04-01
PBSS9110X
双极晶体管- 参考价格:RMB1.25-RMB1.43
PBSS9110X 供应商
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NXP/ELNAF
-
SOT89
1807+ -
250
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
-
SOT-89
23+ -
46000
-
合肥
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科大讯飞战略投资企业,提供一站式配套服务
PBSS9110X 中文资料属性参数
- 安装类型:表面贴装
- 宽度:2.6mm
- 封装类型:UPAK
- 尺寸:1.6 x 4.6 x 2.6mm
- 引脚数目:4
- 晶体管类型:PNP
- 最低工作温度:-65 °C
- 最大功率耗散:2000 mW
- 最大发射极-基极电压:5 V
- 最大基极-发射极饱和电压:1.1 V
- 最大直流集电极电流:1 A
- 最大集电极-发射极电压:100 V
- 最大集电极-发射极饱和电压:0.32 V
- 最大集电极-基极电压:120 V
- 最小直流电流增益:125 V
- 最高工作温度:+150 °C
- 最高工作频率:100 MHz
- 每片芯片元件数目:1
- 类别:双极小信号
- 配置:单
- 长度:4.6mm
- 高度:1.6mm
PBSS9110X 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
TRANS PNP 100V 1A LOW SAT SOT89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:150; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:-120mV; Current Ic Continuous a Max:-250mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:150; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:550mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS) |
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TRANS PNP 100V 1A SOT89 |
15页,200K | 查看 |
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