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PBSS5160DS

双极晶体管
  • 参考价格：RMB1.35-RMB1.49

更新日期：2024-04-01 00:04:00

PBSS5160DS

双极晶体管
  • 参考价格：RMB1.35-RMB1.49

PBSS5160DS 供应商

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PBSS5160DS 中文资料属性参数

  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：1.7mm
  • 封装类型：TSOP
  • 尺寸：1 x 3.1 x 1.7mm
  • 引脚数目：6
  • 晶体管类型：PNP
  • 最低工作温度：-65 °C
  • 最大功率耗散：700 mW
  • 最大发射极-基极电压：5 V
  • 最大基极-发射极饱和电压：1.1 V
  • 最大直流集电极电流：1 A
  • 最大集电极-发射极电压：60 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压：0.33 V
  • 最大集电极-基极电压：80 V
  • 最小直流电流增益：100 V
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 最高工作频率：185 MHz
  • 每片芯片元件数目：2
  • 类别：双极小信号
  • 配置：双
  • 长度：3.1mm
  • 高度：1mm

PBSS5160DS 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
PBSS5160DS

60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

 14 Pages页,144K 查看
PBSS5160DS,115

TRANS PNP DUAL 60V 1A SC-74; Transistor Polarity:Dual PNP; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:-60V; Typ Gain Bandwidth ft:185MHz; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-457; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Case Style:SOT-457; Max Current Ic Continuous a:-100mA; Max Voltage Vce Sat:-165mV; Min Hfe:200; Power Dissipation:420mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation

14页,142K 查看

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