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PBSS4160V
双极晶体管- 参考价格：RMB1.25-RMB1.43
更新日期：2024-04-01 00:04:00
PBSS4160V
双极晶体管- 参考价格：RMB1.25-RMB1.43
PBSS4160V 中文资料属性参数
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：1.3mm
- 封装类型：SSMini
- 尺寸：0.6 x 1.7 x 1.3mm
- 引脚数目：6
- 晶体管类型：NPN
- 最低工作温度：-65 °C
- 最大功率耗散：500 mW
- 最大发射极-基极电压：5 V
- 最大基极-发射极饱和电压：1.1 V
- 最大直流集电极电流：1 A
- 最大集电极-发射极电压：60 V
- 最大集电极-发射极饱和电压：0.25 V
- 最大集电极-基极电压：80 V
- 最小直流电流增益：100 V
- 最高工作温度：+150 °C
- 最高工作频率：220 MHz
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：双极小信号
- 配置：单四集电极
- 长度：1.7mm
- 高度：0.6mm
PBSS4160V 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 PBSS4160V,115
|
TRANS NPN 60V 1A LOW SAT SOT666; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:900mA; DC Current Gain hFE:400; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-666; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:110mV; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:220MHz; Hfe Min:250; Package / Case:SOT-666; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS) |
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