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- 封装：SOT-563，SOT-666
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel®
- 参考价格：$0.103-$0.49
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS NPN 60V 1A LOW SAT SOT666
- 封装：SOT-563，SOT-666
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel®
- 参考价格：$0.103-$0.49
PBSS4160V,115 中文资料属性参数
- 特色产品：NXP - I2C Interface
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：900mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大）：100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：200 @ 500mA，5V
- 功率 - 最大：500mW
- 频率 - 转换：220MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-666
- 包装：Digi-Reel®
- 其它名称：568-7293-6
PBSS4160V,115 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 PBSS4160V,115
|
TRANS NPN 60V 1A LOW SAT SOT666; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:900mA; DC Current Gain hFE:400; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-666; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:110mV; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:220MHz; Hfe Min:250; Package / Case:SOT-666; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS) |
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