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- 封装：SC-70，SOT-323
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS NPN 60V 1A LOW SAT SOT323
- 封装：SC-70，SOT-323
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
PBSS4160U,115 供应商
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Nexperia
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SOT323
21+ -
3000
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上海市
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一级代理原装
PBSS4160U,115 中文资料属性参数
- 特色产品：NXP - I2C Interface
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：750mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：280mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大）：100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：200 @ 500mA，5V
- 功率 - 最大：415mW
- 频率 - 转换：220MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70
- 包装：带卷 (TR)
PBSS4160U,115 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 PBSS4160U,115
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TRANS NPN 60V 1A LOW SAT SOT323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:415mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:500; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:115mV; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:220MHz; Hfe Min:250; Package / Case:SOT-323; Power Dissipation Pd:250mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS) |
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PBSS4160U,115
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TRANS NPN 60V 0.75A SOT323 |
14页,203K | 查看 |