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  • 封装:TO-243AA
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:Digi-Reel®
  • 参考价格:$0.3153-$0.68

更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:TRANS NPN 100V 3.7A SOT89

  • 封装:TO-243AA
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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  • 参考价格:$0.3153-$0.68

PBSS306NX,115 供应商

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PBSS306NX,115 中文资料属性参数

  • 特色产品:NXP - I2C Interface
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4.5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):245mV @ 225mA,4.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 2A,2V
  • 功率 - 最大:2.1W
  • 频率 - 转换:110MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-243AA
  • 供应商设备封装:SOT-89-3
  • 包装:Digi-Reel®
  • 其它名称:568-6875-6

PBSS306NX,115 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
PBSS306NX,115

TRANS NPN 100V 3.7A SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:2.1W; DC Collector Current:4.5A; DC Current Gain hFE:330; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:40mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:110MHz; Hfe Min:200; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:600mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS)

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