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- 封装：TO-243AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS PNP 80V 4A SOT-89
- 封装：TO-243AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
PBSS305PX,115 中文资料属性参数
- 产品培训模块：BISS Transistors
- 特色产品：NXP - I2C Interface
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：4A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：420mV @ 235mA，4.7A
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：120 @ 2A，2V
- 功率 - 最大：2.1W
- 频率 - 转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-243AA
- 供应商设备封装：SOT-89-3
- 包装：带卷 (TR)
PBSS305PX,115 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 PBSS305PX,115
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TRANS PNP 80V 4A SOT-89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Power Dissipation Pd:2.1W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:280; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:-50mV; Current Ic Continuous a Max:-500mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:200; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:600mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS) |
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PBSS305PX,115
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TRANS PNP 80V 4A SOT89 |
15页,211K | 查看 |