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- 封装：TO-243AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS PNP 20V 5.1A SOT-89
- 封装：TO-243AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
PBSS302PX,115 中文资料属性参数
- 产品培训模块：BISS Transistors
- 特色产品：NXP - I2C Interface
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：5.1A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：20V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：35mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：250 @ 500mA，2V
- 功率 - 最大：1.65W
- 频率 - 转换：130MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-243AA
- 供应商设备封装：SOT-89-3
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：PBSS302PX115-CHP
PBSS302PX,115 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 PBSS302PX,115
|
TRANS PNP 20V 5.1A SOT-89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-20V; Power Dissipation Pd:2.1W; DC Collector Current:-5.1A; DC Current Gain hFE:370; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:-35mV; Current Ic Continuous a Max:-500mA; Gain Bandwidth ft Typ:130MHz; Hfe Min:250; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:600mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS) |
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