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- 封装：TO-261-4，TO-261AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS NPN 20V 5.8A SOT-223
- 封装：TO-261-4，TO-261AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
PBSS302NZ,135 中文资料属性参数
- 产品培训模块：BISS Transistors
- 特色产品：NXP - I2C Interface
- 标准包装：4,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：5.8A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：20V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 290mA，5.8A
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：250 @ 2A，2V
- 功率 - 最大：2W
- 频率 - 转换：140MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：SC-73
- 包装：带卷 (TR)
PBSS302NZ,135 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 PBSS302NZ,135
|
TRANS NPN 20V 5.8A SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:5.8A; DC Current Gain hFE:570; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:25mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:140MHz; Hfe Min:300; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:700mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS) |
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