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PBSS2540E
双极晶体管- 参考价格：RMB0.77-RMB0.87
更新日期：2024-04-01 00:04:00
PBSS2540E
双极晶体管- 参考价格：RMB0.77-RMB0.87
PBSS2540E 供应商
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-
NXP/ELNAF
-
SOT523
1828+ -
1293
-
上海市
-
-
-
原装现货,精专配套,正品BOM表报价
PBSS2540E 中文资料属性参数
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：0.9mm
- 封装类型：SMPAK
- 尺寸：0.85 x 1.8 x 0.9mm
- 引脚数目：3
- 晶体管类型：NPN
- 最低工作温度：-65 °C
- 最大功率耗散：250 mW
- 最大发射极-基极电压：6 V
- 最大基极-发射极饱和电压：1.2 V
- 最大直流集电极电流：0.5 A
- 最大集电极-发射极电压：40 V
- 最大集电极-发射极饱和电压：0.25 V
- 最大集电极-基极电压：40 V
- 最小直流电流增益：50 V
- 最高工作温度：+150 °C
- 最高工作频率：450 MHz
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：双极小信号
- 配置：单
- 长度：1.8mm
- 高度：0.85mm
PBSS2540E 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 PBSS2540E,115
|
TRANS NPN 40V 0.5A LOW SAT SC75; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-416; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:50mV; Current Ic Continuous a Max:10mA; Gain Bandwidth ft Typ:450MHz; Hfe Min:200; Package / Case:SOT-416; Power Dissipation Pd:150mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS) |
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