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- 封装：SC-75，SOT-416
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
产品简介：TRANS NPN 15V .5A LOW SAT SC75
- 封装：SC-75，SOT-416
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
PBSS2515E,115 供应商
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NXP
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8 -
3000
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杭州
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原装正品现货
PBSS2515E,115 中文资料属性参数
- 产品培训模块：BISS Transistors
- 特色产品：NXP - I2C Interface
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：15V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：150 @ 100mA，2V
- 功率 - 最大：250mW
- 频率 - 转换：420MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-75，SOT-416
- 供应商设备封装：SC-75
- 包装：带卷 (TR)
PBSS2515E,115 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 PBSS2515E,115
|
TRANS NPN 15V 0.5A LOW SAT SC75; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-416; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:25mV; Current Ic Continuous a Max:10mA; Gain Bandwidth ft Typ:420MHz; Hfe Min:200; Package / Case:SOT-416; Power Dissipation Pd:150mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS) |
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