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PBSM5240PF,115

NXP Semiconductors MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET BISS
  • 参考价格：￥1.01-￥1.45

更新日期：2024-04-01

PBSM5240PF,115

NXP Semiconductors MOSFET

产品简介：MOSFET BISS

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET BISS
  • 参考价格：￥1.01-￥1.45

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PBSM5240PF,115 中文资料属性参数

  • 制造商：NXP
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：8 V
  • 漏极连续电流：0.66 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：370 mOhms
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SON-6
  • 封装：Reel
  • 栅极电荷 Qg：0.89 nC
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.1 W
  • 工厂包装数量：3000

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