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OED-ST-1556SN

Lumex Phototransistors
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodetector Transistors IR 900nm Clear Phototransistor
  • 参考价格：￥1.68-￥4.00

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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OED-ST-1556SN

Lumex Phototransistors

产品简介：Phototransistors IR 900nm Clear Phototransistor

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodetector Transistors IR 900nm Clear Phototransistor
  • 参考价格：￥1.68-￥4.00

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OED-ST-1556SN 中文资料属性参数

  • 制造商：Lumex
  • 最大功率耗散：75 mW
  • 最大暗电流：100 nA
  • 封装 / 箱体：T - 1.5 mm
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
  • 集电极—射极饱和电压：0.5 V
  • 下降时间：15 us
  • 最大工作温度：+ 80 C
  • 最小工作温度：- 20 C
  • 封装：Bulk
  • 产品：Photodetector
  • 上升时间：15 us
  • 波长：900 nm

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