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NTMS4917NR2G

ON Semiconductor MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET NFET SO8 30V 10.2A 11MOHM
  • 参考价格：￥1.90-￥5.87

更新日期：2024-04-01

NTMS4917NR2G

ON Semiconductor MOSFET

产品简介：MOSFET NFET SO8 30V 10.2A 11MOHM

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET NFET SO8 30V 10.2A 11MOHM
  • 参考价格：￥1.90-￥5.87

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NTMS4917NR2G 中文资料属性参数

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 漏极连续电流：7.1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：15 mOhms
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SO-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：12 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：19 S
  • 栅极电荷 Qg：15.6 nC
  • 功率耗散：1.28 W
  • 上升时间：6.3 ns

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