- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:MOSFET NFET 30V 53A 10MOHM - 参考价格:¥2.21-¥7.04
更新日期:2024-04-01
产品简介:MOSFET NFET 30V 53A 10MOHM
- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:MOSFET NFET 30V 53A 10MOHM - 参考价格:¥2.21-¥7.04
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NTMFS4744NT1G 中文资料属性参数
- 制造商:ON Semiconductor
- 产品种类:MOSFET
- 晶体管极性:N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:30 V
- 闸/源击穿电压:+/- 20 V
- 漏极连续电流:53 A
- 电阻汲极/源极 RDS(导通):10 m Ohms
- 配置:Single Quad Drain Triple Source
- 最大工作温度:+ 150 C
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:SO-8FL
- 封装:Reel
- 下降时间:83 ns
- 正向跨导 gFS(最大值/最小值):25 S
- 最小工作温度:- 55 C
- 功率耗散:2.2 W
- 上升时间:203 ns
- 工厂包装数量:1500
- 典型关闭延迟时间:14 ns
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