更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A
NTJD4105CT1 供应商
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SOT-363
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10000
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杭州
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ORSEMI/安森美
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SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
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SOT-363
新批号 -
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上海市
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ON
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SOT363
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33445
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
NTJD4105CT1 中文资料属性参数
- 制造商:ON Semiconductor
- 产品种类:MOSFET
- 晶体管极性:N and P-Channel
- 汲极/源极击穿电压:20 V, - 8 V
- 闸/源击穿电压:+/- 12 V, +/- 8 V
- 漏极连续电流:630 mA, - 775 mA
- 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.29 Ohms at 4.5 V, 0.22 Ohms at - 4.5 V
- 配置:Dual
- 最大工作温度:+ 150 C
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:SOT-363-6
- 封装:Reel
- 下降时间:506 nS, 36 nS
- 正向跨导 gFS(最大值/最小值):2 S, 2 S
- 栅极电荷 Qg:1.3 nC, 2.2 nC
- 最小工作温度:- 55 C
- 功率耗散:270 mW
- 上升时间:227 nS, 23 nS
- 工厂包装数量:3000
- 典型关闭延迟时间:786 nS, 50 nS
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