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NST3906DXV6T5

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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NST3906DXV6T5

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

产品简介：Transistors Bipolar (BJT) 200mA 40V Dual

NST3906DXV6T5 中文资料属性参数

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：0.2 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：60 at 0.1 mA at 1 V
  • 配置：Dual
  • 最大工作频率：250 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-563-6
  • 封装：Reel
  • 集电极连续电流：- 0.2 A
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：357 mW

NST3906DXV6T5 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
NST3906DXV6T5

Dual General Purpose Transistor

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